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6). Ce point P M est obtenu en modifiant la valeur de la résistance externe, quand l'aire du rectangle défini par les axes Ox, Oy et les droites x = I m et y= V m passe par un maximum. Le nom "facteur de forme" (fill factor) dérive de la représentation graphique. Il est défini par la relation suivante:𝐹𝐹 = 𝑃 𝑚𝑎𝑥 𝑉 𝑜𝑐 ×𝐼 𝑠𝑐 = 𝑉 𝑚×𝐼𝑚 𝑉 𝑜𝑐 ×𝐼 𝑠𝑐 Il est égal au rapport de la surface du rectangle P max défini par la Figure I. 6, sur celle du rectangle dont les côtés mesurent V oc et I sc. Plus ce paramètre est élevé, meilleure est l'efficacité de conversion. Schéma équivalent cellule photovoltaïque http. En dehors de ce point de fonctionnement P M particulier, la diminution du courant par recombinaison intervient à des points de fonctionnement ayant V x supérieur à V M et des pertes par dissipation (effet joule) des résistances séries apparaissent dans le cas I >I M. Plus la cellule solaire montre un comportement idéal, plus les surfaces des deux rectangles sont proches, et plus la valeur du facteur de forme augmente.
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Le logiciel SILVACO comprend une gamme large d'étude intégrale dans l'élaboration et la caractérisation des cellules solaires. Nous, nous allons appliquer la partie SILVACO-ATLAS pour générer les résultats des caractéristiques électriques de la cellule solaire à l'obscurité et sous l'éclairement AM 0 du fait que les cellules en (GaAs) sont généralement destinées aux applications spatiales. Dans ce chapitre nous présentons une description relativement détaillée sur SILVACO- ATLAS.
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Cependant, le problème de recombinaison en surface rencontré dans la cellule photovoltaïque à homojonction est remplacé par le problème des recombinaisons au niveau de l'interface. Il est à signaler que le taux de recombinaison au niveau de l'interface est considérablement inférieur au taux de recombinaison au niveau de la surface. Cellule Photovoltaïque – Sciences de l'Ingénieur. Cette comparaison est valable dans le cas où le matériau à large bande interdite est passif, c'est-à-dire, présente une faible absorption et une recombinaison nulle [44] Le GaAs est le semi-conducteur monocristallin le plus utilisé, ou souvent, les solutions solides (Al, Ga)As. C'est le matériau le plus performant du point de vue rendement de conversion, bien que sa densité soit 203 fois supérieure à celle du silicium [30]. Les cellules solaires à base de l'arséniure de gallium sont largement utilisées, plus particulièrement aux applications spatiales, et ceci à cause de leur rendement élevé et leur faible dégradation face aux irradiations spatiales. Ce pendant, un problème important s'opposait au développement des cellules solaires au GaAs, à savoir celui de la vitesse de recombinaison en surface.Schéma Équivalent Cellule Photovoltaique D
6) Deux régimes peuvent être observés suivant le degré d'éclairement (Figure I. 7). Régime des faibles flux lumineux: dans ce cas, I ph << I s, ce qui permet d'écrire: 𝐿𝑜𝑔 [1 + 𝐼 𝑝ℎ 𝐼 𝑠] ≃ 𝐼 𝑝ℎ 𝐼 𝑠, d'où 𝑉 𝑐𝑜 ≃ 𝐾𝑇 𝑞 𝐼𝑝ℎ 𝐼 𝑠: c'est la zone de comportement linéaire de lacellule. La formule précédente peut s'écrire aussi V co = R 0 I ph, en posant 𝑅 0 = 𝐾𝑇 1 𝐼𝑠: R 0 est la résistance interne de la diode en polarisation externe nulle (circuit ouvert) et sous faible flux lumineux. Schéma équivalent cellule photovoltaique du. Régime des flux lumineux suffisamment intenses pour que I ph >> I S, soit 𝐼 𝑝ℎ 𝐼𝑠 ≫ 1, d'où: 𝑞 𝐿𝑜𝑔 𝐼 𝑝ℎ 17 Figure I. 8: différents régimes selon la puissance d'éclairement. I. 3. Facteur de forme, FF La puissance fournie au circuit extérieur par une cellule photovoltaïque sous éclairement dépend de la résistance de charge (résistance externe placée aux bornes de la cellule). Cette puissance est maximale (notée P max) pour un point de fonctionnement PM (I M, V M) de la courbe courant-tension (courant compris entre 0 et I sc et tension comprise entre 0 etV oc) (Figure I.
L'écart par rapport au cas idéal provient des résistances aux contacts, de la faible mobilité des porteurs de charges au sein du semi-conducteur, ou encore aux courants de fuite dans la cellule. I. 4. Le rendement, η Le rendement, η des cellules PV désigne le rendement de conversion en puissance. Il est défini comme étant le rapport entre la puissance maximale délivrée par la cellule et la puissance lumineuse incidente, P in Vco I ph Régime linéaire 18 𝜂 = 𝑃 𝑚𝑎𝑥 𝑃 𝑖𝑛 = 𝐹𝐹 × 𝐼 𝑠𝑐 × 𝑉 𝑜𝑐 𝑃 𝑖𝑛 Ce rendement peut être amélioré en augmentant le facteur de forme, le courant de court-circuit et la tension à circuit ouvert. Schéma électrique équivalent d'une cellule photovoltaique - bois-eco-concept.fr. Le rendement de conversion est un paramètre essentiel. En effet, la seule connaissance de sa valeur permet d'évaluer les performances de la cellule. I. Paramètre de diode La cellule solaire est une diode ayant une surface large, polarisée par un photocourant I ph issu des photons incidents (éclairement de la cellule). La relation entre le courant et la tension de polarisation dans les diodes à jonction p-n, est donné par l'équation (I.